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IRF7404QTRPBF

更新时间： 2024-11-19 21:00:07

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Transistor

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IRF7404QTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF7404QTRPBF 数据手册

END OF LIFE

IRF7404QPbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS= -20V

Advanced Process Technology

UltraLowOn-Resistance

P Channel MOSFET

SurfaceMount

Available in Tape & Reel

150°COperatingTemperature

Lead-Free

_DS(on)= 0.040Ω

Top View

Description

These HEXFET^®Power MOSFET's in package utilize the

lastest processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. Additional features of these

HEXFETPowerMOSFET'sarea150°C junctionoperating

temperature, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating. These benefits combine to make this

design an extremely efficient and reliable device for use in

a wide variety of applications.

SO-8

The efficient SO-8 package provides enhanced thermal

characteristics making it ideal in a variety of power

applications. This surface mount SO-8 can dramatically

reduce board space and is also available in Tape & Reel.

Standard Pack

Package

Type

EOL

Notice

Base part number Orderable part number

Replacement Part Number

Form

Tape and Reel

Tube

Quantity

4000

IRF7404QTRPbF

IRF7404QPbF

SO-8

EOL 527

EOL 529

Please search the EOL part number on IR’s website for

guidance

IRF7404QPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-7.7

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

10 Sec. Pulsed Drain Current, V_GS@ -4.5V

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-6.7

-5.4

-27

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.02

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

-5.0

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

www.irf.com

02/10/15

12 3 4 5 6 7...10

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IRF7404QTRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7404PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRF7404QTRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7404TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7404TRPBF	INFINEON	获取价格	generation v technology
IRF7404TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7406	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRF7406GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7406PBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF7406TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7406TRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology

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