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IRF7406

更新时间： 2024-11-17 22:31:35
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET POWER MOSFET

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PD - 91247D  
IRF7406  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel Mosfet  
A
1
2
8
D
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Surface Mount  
3
4
6
S
G
D
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
5
D
RDS(on) = 0.045Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
the lowest possible on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements,  
multiple devices can be used in an application with  
dramatically reduced board space. The package is  
designed for vapor phase, infra red, or wave soldering  
techniques. Power dissipation of greater than 0.8W  
is possible in a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current   
-6.7  
-5.8  
A
-3.7  
-23  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
06/12/03  
1234567...9

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IRF7406 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7406TR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406TRPBF INFINEON

类似代替

 Generation V Technology
IRF7406PBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7406GPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7406PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRF7406TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7406TRPBF INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology
IRF7406TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRF740A VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF740A INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF740A MOTOROLA

获取价格

 		10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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