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IRF7406PBF-1

更新时间： 2024-09-13 20:04:15

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Power Field-Effect Transistor

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IRF7406PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF7406PBF-1 数据手册

IRF7406PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -10V)

Q_{g (max)}

-30

0.045

I_D

-5.8

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Tube/Bulk

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

4000

IRF7406PbF-1

IRF7406TRPbF-1

IRF7406PbF-1

SO-8

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

10 Sec. Pulsed Drain Current, V_GS@ -10V

-6.7

-5.8

-3.7

-23

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.02

± 20

-5.0

V_GS

Gate-to-Source Voltage

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

V/ns

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

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November 18, 2013

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF7406TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7406TRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology
IRF7406TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF740A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF740A	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF740A	MOTOROLA	获取价格	10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF740A	ROCHESTER	获取价格	10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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IRF740AF	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met