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IRF7404PBF-1

更新时间： 2024-11-20 01:19:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Industry-standard pinout SO-8 Package

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IRF7404PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.12	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF7404PBF-1 数据手册

IRF7404TRPbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

-20

0.04

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -4.5V)

Q_g

I_D

-6.7

(@T_A= 25°C)

Top View

SO-8

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Tape and Reel

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

IRF7404TRPbF-1

Quantity

4000

IRF7404PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-7.7

-6.7

-5.4

-27

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

10 Sec. Pulsed Drain Current, V_GS@ -4.5V

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.02

± 12

-5.0

V_GS

Gate-to-Source Voltage

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

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October 16, 2014

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IRF7404PBF-1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7404QPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) =
IRF7404TRPBF-1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7404	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与IRF7404PBF-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7404PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404QPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) =
IRF7404QTRPBF	INFINEON	获取价格	Transistor
IRF7404TR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7404TRPBF	INFINEON	获取价格	generation v technology
IRF7404TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7406	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRF7406GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7406PBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor