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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7404QPBF
IRF7404QPBF PDF预览

IRF7404QPBF

更新时间： 2024-11-19 03:02:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 261K
描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040ヘ )

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IRF7404QPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRF7404QPBF 数据手册

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PD - 96127  
IRF7404QPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
P Channel MOSFET  
A
1
2
3
4
8
S
S
D
VDSS = -20V  
7
D
SurfaceMount  
6
S
G
D
Available in Tape & Reel  
150°COperatingTemperature  
Automotive [Q101] Qualified  
Lead-Free  
5
D
RDS(on) = 0.040Ω  
Top View  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, these  
HEXFET® Power MOSFET's in package utilize the lastest  
processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. Additional features of these  
Automotive qualified HEXFET Power MOSFET's are a  
150°C junction operating temperature, fast switching  
speed and improved repetitive avalanche rating. These  
benefits combine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applications and  
a wide variety of other applications.  
SO-8  
The efficient SO-8 package provides enhanced thermal  
characteristics making it ideal in a variety of power  
applications. This surface mount SO-8 can dramatically  
reduce board space and is also available in Tape & Reel.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -4.5V  
-7.7  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-6.7  
A
-5.4  
-27  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
08/29/07  
1234567...9

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IRF7404QPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7404PBF-1 INFINEON

类似代替

 Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404TRPBF INFINEON

功能相似

 generation v technology
IRF7404PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与IRF7404QPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7404QTRPBF INFINEON

获取价格

 		Transistor
IRF7404TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7404TRPBF INFINEON

获取价格

 		generation v technology
IRF7404TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7406 INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRF7406GPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7406PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRF7406TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7406TR UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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