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IRF7404

更新时间： 2024-11-18 22:31:35
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英飞凌 - INFINEON /
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HEXFET Power MOSFET

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IRF7404 数据手册

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PD - 9.1246C  
IRF7404  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel Mosfet  
A
1
2
3
4
8
S
S
D
VDSS = -20V  
7
D
l Surface Mount  
6
S
G
D
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
5
D
RDS(on) = 0.040Ω  
Top View  
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
S O -8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -4.5V  
Max.  
-7.7  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-6.7  
A
-5.4  
-27  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/10/99  
12345678

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IRF7404 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7404TRPBF INFINEON

类似代替

 generation v technology
IRF7404PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
BSO203SPHXUMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

与IRF7404相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7404PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7404PBF-1 INFINEON

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 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404PBF-1_15 INFINEON

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 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF7404QPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) =
IRF7404QTRPBF INFINEON

获取价格

 		Transistor
IRF7404TR UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF7404TRPBF INFINEON

获取价格

 		generation v technology
IRF7404TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
IRF7406 INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRF7406GPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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