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BSO203SPHXUMA1 PDF预览

BSO203SPHXUMA1

更新时间： 2024-11-19 14:50:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 298K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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BSO203SPHXUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.6
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：97 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.7 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSO203SPHXUMA1 数据手册

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BSO203SP H  
OptiMOS® P-Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-20  
21  
V
• single P-Channel in SO8  
R DS(on),max  
V
V
GS=4.5 V  
GS=2.5 V  
mΩ  
• Qualified according JEDEC for target applications  
34  
• 150°C operating temperature  
• Super Logic Level (2.5V rated)  
I D  
-8.9  
A
• Pb-free plating; RoHS compliant, Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-DSO-8  
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Packing  
Yes  
BSO203SP H  
PG-DSO-8  
203SP  
Yes  
dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
V
GS= -4.5 V,  
Continuous drain current1)  
I D  
-8.9  
-7.0  
A
T A=25 °C  
V
GS= -4.5 V,  
T A=70 °C  
GS= -2.5 V,  
T A=25 °C  
GS= -2.5 V,  
-7.1  
-7.0  
-5.6  
-5.8  
-5.7  
-4.5  
V
V
T A=70 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T A=25 °C  
-35.6  
97  
I D=--8.9 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
V GS  
±12  
Gate source voltage  
V
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2.5  
1.6  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
ESD class  
1B (500V - 1 kV)  
260  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
°C  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev.1.31  
page 1  
2010-02-10  
1234567...9

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BSO203SPHXUMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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