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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SO-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.27 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 28 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.067 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO211PH | INFINEON |
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OptiMOS P-Power-Transistor |
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| BSO211PHXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.067ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| BSO215C | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSO220N | INFINEON |
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SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |
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| BSO220N03MD G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSO220N03MDG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSO220N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSO300N03S | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| BSO301 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor |
|
| BSO301SN | ETC |
获取价格 |
?OptiMOS Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 7.8mOhm. 13A. LL? |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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