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BSO211PHXUMA1

更新时间： 2024-11-23 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 456K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.067ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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BSO211PHXUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.88
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：28 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.067 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18.4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO211PHXUMA1 数据手册

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BSO211P H  
OptiMOS® P-Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
-20  
67  
V
• dual P-Channel in SO8  
RDS(on),max  
VGS=4.5 V  
VGS=2.5 V  
mW  
• Qualified according JEDEC for target applications  
110  
-4.6  
• 150°C operating temperature  
ID  
A
• Super Logic Level (2.5V rated)  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-DSO-8  
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Packing  
Yes  
BSO211P H  
PG-DSO-8  
211P  
Yes  
dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
Continuous drain current1)  
I D  
V GS=4.5 V, T A=25 °C  
V GS=4.5 V, T A=70 °C  
-4,6  
-3,7  
-3,6  
-2,9  
-4,0  
-3,2  
-3,2  
-2,5  
A
V GS=2.5 V, T A=25 °C  
V GS=2.5 V, T A=70 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T A=25 °C  
-18,4  
28  
I D=-4.6 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±12  
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2,0  
1,6  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
ESD class  
0 (0-250V)  
260  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
°C  
55/150/56  
Rev.1.3  
page 1  
2010-02-10  
1234567...9

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BSO211PHXUMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSO303SPHXUMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203SPHXUMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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