BSO350N03

更新时间： 2024-11-17 22:27:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
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描述
OptiMOS2 Power-Transistor

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BSO350N03 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.8
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	28 pF
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSO350N03 数据手册

BSO350N03

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for notebook DC/DC

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Dual n-channel

• Logic level

P-DSO-8

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Avalanche rated

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

Q67042-S4217 350N3

BSO350N03

P-DSO-8

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

10 secs steady state

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _A=25 °C²⁾

T _A=70 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

4.8

T _A=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=6 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=6 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

±20

Gate source voltage

T _A=25 °C²⁾

P _tot

Power dissipation

2.0

1.4

°C

T _j, T _stg

-55 ... 150

55/150/56

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev. 1.11

page 1

2004-02-09

12 3 4 5 6 7...9

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BSO350N03 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AO4800B	AOS	功能相似	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC655BN	FAIRCHILD	功能相似	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

与BSO350N03相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSO350N03FUMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
BSO4410	INFINEON	获取价格	OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSO4420	INFINEON	获取价格	OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSO4804	INFINEON	获取价格	OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSO4804HUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSO4822	INFINEON	获取价格	OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSO4822HUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSO604NS2	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
BSO604NS2_08	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
BSO604NS2XUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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