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BSO612CVGHUMA1 PDF预览

BSO612CVGHUMA1

更新时间： 2024-01-04 12:04:24
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 390K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-8

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BSO612CVGHUMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：8.48其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：47 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO612CVGHUMA1 数据手册

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Rev. 2.1  
BSO 612 CV G  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
N
60  
P
Drain source voltage  
Drain-Source on-state  
resistance  
V
-60  
0.3  
V
A
DS  
Features  
R
0.12  
DS(on)  
Dual N- and P -Channel  
Enhancement mode  
Continuous drain current I  
3
-2  
D
Avalanche rated  
Pb-free lead plating;RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
BSO 612 CV PG-DSO-8  
612CV  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
N
P
Continuous drain current  
I
I
A
D
T = 25 °C  
3
-2  
A
T = 70 °C  
2.4  
-1.6  
A
Pulsed drain current  
12  
-8  
D puls  
T = 25 °C  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
I = 3 A, V = 25 V, R = 25  
47  
-
-
D
DD  
GS  
I = -2 A, V = -25 V, R = 25  
70  
D
DD  
GS  
Avalanche energy, periodic limited by T  
E
0.2  
0.2  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt, T  
= 150 °C  
dv/dt  
kV/µs  
jmax  
I = 3 A, V = 48 V, di/dt = 200 A/µs  
6
-
-
S
DS  
I = -2 A, V = -48 V, di/dt = -200 A/µs  
6
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
2
±20  
2
V
GS  
tot  
W
T = 25 °C  
A
Operating and storage temperature  
T
,
T
-55...+150  
°C  
j
stg  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
55/150/56  
2012-04-04  
Page 1  
1234567...13

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BSO612CVGHUMA1 替代型号

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