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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSO615C
BSO615C PDF预览

BSO615C

更新时间： 2024-02-01 07:03:32
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
13页 158K
描述
SIPMOS Small-Signal-Transistor

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BSO615C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSO615C 数据手册

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Preliminary data  
BSO 615 C  
SIPMOS Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
Drain source voltage  
Drain-Source on-state  
resistance  
N
60  
P
V
-60  
0.3  
V
• Dual N- and P -Channel  
• Enhancement mode  
DS  
R
0.11  
Ω
DS(on)  
• Logic Level  
Continuous drain current I  
3.1  
-2  
A
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
D
Type  
Package  
Ordering Code  
BSO 615 C  
SO 8  
Q67041-S4024  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
N
P
Continuous drain current  
I
I
A
D
T = 25 °C  
3.1  
2.5  
-2  
A
T = 70 °C  
-1.6  
A
Pulsed drain current  
12.4  
-8  
D puls  
T = 25 °C  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
I = 3.1 A , V = 25 V, R = 25 Ω  
47  
-
-
D
DD  
GS  
I = -2 A , V = -25 V, R = 25 Ω  
70  
D
DD  
GS  
Avalanche energy, periodic limited by T  
E
0.2  
0.2  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt, T  
= 150 °C  
dv/dt  
kV/µs  
jmax  
I = 3.1 A, V = 48 V, di/dt = 200 A/µs  
6
-
-
S
DS  
I = -2 A, V = -48 V, di/dt = -200 A/µs  
6
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
2
±20  
2
V
GS  
tot  
W
T = 25 °C  
A
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55...+150  
55/150/56  
°C  
j
stg  
1999-10-28  
Page 1  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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