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BSO4804HUMA1

更新时间： 2024-02-19 08:04:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1313K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SO-8

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BSO4804HUMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSO4804HUMA1 数据手册

BSO4804

OptiMOS =Small-Signal-Transistor

Product Summary

Feature

N-Channel

DS(on)

Enhancement mode

Logic Level

Excellent Gate Charge x R

product (FOM)

DS(on)

150°C operating temperature

Avalanche rated

dv/dt rated

Ideal for fast switching applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

•

Type

Package

Ordering Code

Marking

BSO4804

PG-DSO-8-7 Q67042-S4097

4804

Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

T =70°C

6.4

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

Avalanche energy, single pulse

I =8 A , V =25V, R =25

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I =8A, V =24V, di/dt=200A/µs, T =150°C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +150

55/150/56

stg

Rev.1.1

Page 1

2005-09-06

12 3 4 5 6 7 8

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