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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO615NGXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSO615NGXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| BSO615NNT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BSO615NV | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSO8D | ISAHAYA |
获取价格 |
TRIGGER ELEMENT |
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| BSO9936 | ETC |
获取价格 |
?Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 75mOhm. 4.2A. LL. dual? |
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| BSOF3S3E | CONNOR-WINFIELD |
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SURFACE MOUNT 3.3V STRATUM 3E HCMOS OCXO |
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| BSOF3S3E-10.00MHZ | CONNOR-WINFIELD |
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HCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Nom, SURFACE MOUNT PACKAGE-16 |
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| BSOF3S3E-12.80M | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 3.3V STRATUM 3E HCMOS OCXO |
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| BSOF3S3E-12.80MHZ | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
HCMOS Output Clock Oscillator, 12.8MHz Nom, SURFACE MOUNT PACKAGE-16 |
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