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BSO613SPVGXUMA1

更新时间： 2024-02-15 13:28:00

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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BSO613SPVGXUMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.27	湿度敏感等级：	3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BSO613SPVGXUMA1 数据手册

BSO613SPV G

SI PMO S Power- Transi stor

Features

Product Summary

P-Channel

Drain source voltage

-60

0.13

-3.44

Enhancement mode

Avalanche rated

dv/dt rated

Drain-source on-state resistance R

DS(on)

Continuous drain current

° Qualified according to AEC Q101

Top Vi ew

SIS00062

Ty pe

Package

Lead free

BSO613SPV G

PG-SO 8

Yes

Maxi mum Rati ngs ,at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Sy mbol

Value

Uni t

Continuous drain current

-3.44

T = 25 °C

Pulsed drain current

-13.8

150

D puls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

I = -3.44 A , V = -25 V, R = 25

Avalanche energy, periodic limited by T

0.25

jmax

Reverse diode dv/dt

dv/dt

kV/µs

I = -3.44 A, V = -48 V, di/dt = 200 A/µs,

= 150 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

2.5

tot

T = 25 °C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

stg

-55... +150

55/150/56

°C

Rev.1.4

Page 1

2011-05-31

12 3 4 5 6 7...9

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