是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.65 |
其他特性: | LOGIC LEVEL | 雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSO615NGHUMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSO615NG | INFINEON |
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SIPMOS Small-signal-Transistor | |
BSO615NG | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25° | |
BSO615NGHUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSO615NGXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSO615NGXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
BSO615NNT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
BSO615NV | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor | |
BSO8D | ISAHAYA |
获取价格 |
TRIGGER ELEMENT | |
BSO9936 | ETC |
获取价格 |
?Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 75mOhm. 4.2A. LL. dual? | |
BSOF3S3E | CONNOR-WINFIELD |
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SURFACE MOUNT 3.3V STRATUM 3E HCMOS OCXO |