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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SO-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0078 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7821TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRF7413TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
fast suitching |
|
| IRF7413PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO4804 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO4804HUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSO4822 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO4822HUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSO604NS2 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| BSO604NS2_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| BSO604NS2XUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSO612CV | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO612CVG | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO612CVGHUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
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