是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.63 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 47 mJ | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 12.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSO615CT | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor | |
BSO615N | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor | |
BSO615NG | INFINEON |
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SIPMOS Small-signal-Transistor | |
BSO615NG | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25° | |
BSO615NGHUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
BSO615NGXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSO615NGXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
BSO615NNT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSO615NV | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor | |
BSO8D | ISAHAYA |
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TRIGGER ELEMENT |