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BSO615NG

更新时间: 2024-05-23 22:23:46
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友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
8页 309K
描述
种类:N+N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):7A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:40mΩ@10V

BSO615NG 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:ROHS COMPLIANT, SO-8针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.27
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):60 mJ配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):2.6 A
最大漏源导通电阻:0.15 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):10.4 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSO615NG 数据手册

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R
UMW  
BSO615NG  
D
1
D
2
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V) = 60V  
l
l
ID= 7A (VGS=10V)  
G
1
G
2
40m  
55m  
(VGS = 10V)  
(VGS = 4.5V)  
RDS(ON)  
RDS(ON)  
l
l
S
S
2
1
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
D1  
D2  
D2  
1
2
3
4
8
7
6
5
SOP-8  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
7
Continuous Drain Current  
ID  
TC = 125 °C  
4
Continuous Source Current (Diode Conduction) a  
Pulsed Drain Current b  
IS  
3.6  
A
IDM  
IAS  
28  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
18  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
16.2  
mJ  
W
4
1.3  
Maximum Power Dissipation b  
PD  
TC = 125 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
110  
34  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mount c  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes  
a. Package limited.  
b. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).  
www.umw-ic.com  
1
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