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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRF7103QTR | INFINEON |
类似代替  |
Advanced Planar Technology Dual N Channel MOSFET |
|
| IRF7103TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
adavanced process technology |
|
| IRF7103PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO615NGHUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSO615NGXT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BSO615NGXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| BSO615NNT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BSO615NV | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO8D | ISAHAYA |
获取价格 |
TRIGGER ELEMENT |
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| BSO9936 | ETC |
获取价格 |
?Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 75mOhm. 4.2A. LL. dual? |
|
| BSOF3S3E | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 3.3V STRATUM 3E HCMOS OCXO |
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| BSOF3S3E-10.00MHZ | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
HCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Nom, SURFACE MOUNT PACKAGE-16 |
|
| BSOF3S3E-12.80M | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
SURFACE MOUNT 3.3V STRATUM 3E HCMOS OCXO |
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