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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 1.66 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO612CV | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSO612CVG | INFINEON |
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SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSO612CVGHUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| BSO612CVGXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| BSO613SPV | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSO613SPV G | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie |
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| BSO613SPVG | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| BSO613SPVGHUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.44A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
|
| BSO615 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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