5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BSO613SPVGHUMA1
BSO613SPVGHUMA1 PDF预览

BSO613SPVGHUMA1

更新时间： 2024-09-26 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 369K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.44A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSO613SPVGHUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.91
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：3.44 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO613SPVGHUMA1 数据手册

 浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSO613SPVGHUMA1的Datasheet PDF文件第7页 
BSO613SPV G  
SI PMO S Power- Transi stor  
Features  
Product Summary  
P-Channel  
Drain source voltage  
V
-60  
0.13  
-3.44  
V
A
DS  
Enhancement mode  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Drain-source on-state resistance R  
DS(on)  
Continuous drain current  
I
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
D
D
D
D
° Qualified according to AEC Q101  
S
G
Top Vi ew  
SIS00062  
Ty pe  
Package  
Lead free  
BSO613SPV G  
PG-SO 8  
Yes  
Maxi mum Rati ngs ,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Sy mbol  
Value  
Uni t  
Continuous drain current  
I
D
-3.44  
A
T = 25 °C  
A
Pulsed drain current  
I
-13.8  
150  
D puls  
T = 25 °C  
A
Avalanche energy, single pulse  
E
E
mJ  
AS  
AR  
I = -3.44 A , V = -25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
Avalanche energy, periodic limited by T  
0.25  
6
jmax  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = -3.44 A, V = -48 V, di/dt = 200 A/µs,  
S
DS  
T
= 150 °C  
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
2.5  
V
GS  
tot  
W
T = 25 °C  
A
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T
j
,
T
stg  
-55... +150  
55/150/56  
°C  
Rev.1.4  
Page 1  
2011-05-31  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

BSO613SPVGHUMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 4700 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND

与BSO613SPVGHUMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSO613SPVGXUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
BSO615 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO615C INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO615CG INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO615CT INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO615N INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO615NG INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-signal-Transistor
BSO615NG UMW

获取价格

 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°
BSO615NGHUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSO615NGXT INFINEON

获取价格

 		暂无描述

与BSO613SPVGHUMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证