5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSO220N03MSG
BSO220N03MSG PDF预览

BSO220N03MSG

更新时间： 2024-09-23 09:00:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 314K
描述
OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSO220N03MSG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：6.1 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO220N03MSG 数据手册

 浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSO220N03MSG的Datasheet PDF文件第7页 
BSO220N03MS G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
22  
27  
8.6  
V
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
• 100% Avalanche tested  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
mΩ  
I D  
A
• N-channel  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-DSO-8  
• Qualified for consumer level application  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSO220N03MS G  
PG-DSO-8  
220N03MS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
V
V
GS=10 V, T A=25 °C  
8.6  
5.9  
7.0  
4.7  
A
GS=10 V, T A=90 °C  
GS=4.5 V, T A=25 °C  
V
V
7.7  
5.4  
6.1  
4.2  
GS=4.5 V, T A=90 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T A=25 °C  
60  
8.6  
8
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T A=25 °C  
E AS  
I D=8.6 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
±20  
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2.5  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev.1.1  
page 1  
2009-11-19  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

BSO220N03MSG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMD4820NR2G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET
FDS6630A FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6612A FAIRCHILD

功能相似

 Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

与BSO220N03MSG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSO300N03S INFINEON

获取价格

 		OptiMOS2 Power-Transistor
BSO301 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO301SN ETC

获取价格

 		?OptiMOS Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 7.8mOhm. 13A. LL?
BSO301SP INFINEON

获取价格

 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO301SP H INFINEON

获取价格

 		英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足
BSO301SPH INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P Power-Transistor
BSO301SPNTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
BSO302SN INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSO-302SN INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSO303 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

与BSO220N03MSG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证