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BSO303

更新时间: 2024-01-14 08:57:44
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页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

BSO303 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:GREEN, PLASTIC, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.67
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):97 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7.2 A最大漏极电流 (ID):7.2 A
最大漏源导通电阻:0.021 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSO303 数据手册

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Preliminary data  
BSO303P  
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
-30  
21  
V
DS  
Dual P-Channel  
Enhancement mode  
Logic Level  
R
mΩ  
A
DS(on)  
I
-8.2  
D
150°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
1
2
3
4
8
7
6
5
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
D1  
D2  
D2  
Top View  
SIS00070  
Type  
Package  
Ordering Code  
BSO303P  
SO 8  
Q67042-S4010  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-8.2  
-6.6  
A
T =70°C  
A
-32.4  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
97  
-6  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =-8.2 A , V =-25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-8.2A, V =-24V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=150°C  
S
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±20  
2
GS  
tot  
W
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2002-01-08  

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