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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6630A
FDS6630A PDF预览

FDS6630A

更新时间： 2024-09-22 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 199K
描述
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6630A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6630A 数据手册

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April 1999  
FDS6630A  
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 6.5 A, 30 V. RDS(on) = 0.038 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(on) = 0.053 Ω @ VGS = 4.5 V  
• Low gate charge (5nC typical).  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor drives  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
pin 1  
S
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
V
V
A
20  
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
6.5  
40  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.2  
1
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
θ
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
50  
25  
C/W  
C/W  
JA  
°
°
JC  
θ
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS6630A  
FDS6630A  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6630A Rev. C1  
12345678

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FDS6630A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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