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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.87 | 其他特性： | LOGIC LEVAL |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 26 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO220N | INFINEON |
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SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |
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| BSO220N03MD G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSO220N03MDG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSO220N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSO300N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSO301 | INFINEON |
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OptiMOS -P Small-Signal-Transistor |
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| BSO301SN | ETC |
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?OptiMOS Small Signal MOSFET. 30V. SO-8. RDSon = 7.8mOhm. 13A. LL? |
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| BSO301SP | INFINEON |
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OptiMOS -P Small-Signal-Transistor |
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| BSO301SP H | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSO301SPH | INFINEON |
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OptiMOS-P Power-Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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