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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSO207P
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BSO207P

更新时间： 2024-11-18 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

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BSO207P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.87其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：44 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A
最大漏极电流 (ID)：5.7 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSO207P 数据手册

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Preliminary data  
BSO207P  
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
-20  
45  
V
DS  
• Dual P-Channel  
R
mΩ  
A
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Super Logic Level (2.5 V rated)  
• 150°C operating temperature  
• Avalanche rated  
I
-5.7  
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
D1  
D2  
• dv/dt rated  
D2  
Top View  
SIS00070  
Type  
Package  
Ordering Code  
BSO207P  
SO 8  
Q67042-S4068  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-5.7  
-4.6  
A
T =70°C  
A
-22.8  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
44  
-6  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =-5.7 A , V =-10V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-5.7A, V =-16V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=150°C  
S
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±12  
2
GS  
tot  
W
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2001-11-20  
12345678

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