BSO207PHXT

更新时间： 2024-11-19 13:05:59

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英飞凌 - INFINEON		/
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8页	91K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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BSO207PHXT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	44 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22.8 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSO207PHXT 数据手册

Preliminary data

BSO207P

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

Product Summary

Feature

-20

• Dual P-Channel

mΩ

DS(on)

• Enhancement mode

• Super Logic Level (2.5 V rated)

• 150°C operating temperature

• Avalanche rated

-5.7

• dv/dt rated

Top View

SIS00070

Type

Package

Ordering Code

BSO207P

SO 8

Q67042-S4068

Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

-5.7

-4.6

T =70°C

-22.8

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

-6

Avalanche energy, single pulse

I =-5.7 A , V =-10V, R =25Ω

kV/µs

Reverse diode dv/dt

dv/dt

I =-5.7A, V =-16V, di/dt=200A/µs, T

DS jmax

=150°C

Gate source voltage

Power dissipation

±12

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +150

55/150/56

stg

Page 1

2001-11-20

12 3 4 5 6 7 8

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