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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 63 mJ |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSO203PHXUMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO207P | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor |
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| BSO207PH | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS P-Power-Transistor |
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| BSO207PHXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSO211P | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor |
|
| BSO211PH | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS P-Power-Transistor |
|
| BSO211PHXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.067ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| BSO215C | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| BSO220N | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |
|
| BSO220N03MD G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSO220N03MDG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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