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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7101TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7403TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Generation V Technology |
|
| IRF7416 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7403TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7403TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IRF7403TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7404 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7404 | ADI |
获取价格 |
Thermoelectric Cooler Controller |
|
| IRF7404PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7404PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
|
| IRF7404PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
|
| IRF7404QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = |
|
| IRF7404QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
|
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