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IRF7416

更新时间： 2024-02-28 04:57:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 118K
描述
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)

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IRF7416 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.08
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7416 数据手册

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PD - 9.1356D  
IRF7416  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel Mosfet  
A
D
1
2
8
S
S
VDSS = -30V  
7
D
l Surface Mount  
3
6
5
S
D
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
4
G
D
RDS(on) = 0.02Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation  
of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount  
application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-10  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ - 10V  
Pulsed Drain Current   
A
-7.1  
-45  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
± 20  
370  
-5.0  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
–––  
50  
°C/W  
8/25/97  
1234567...9

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