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IRF7401PBF-1

更新时间： 2024-11-19 19:32:23

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Power Field-Effect Transistor

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IRF7401PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

IRF7401PBF-1 数据手册

IRF7401PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

Q_g

0.022

I_D

8.7

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF7401PbF-1

IRF7401TRPbF-1

IRF7401PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

10 Sec. Pulsed Drain Current, V_GS@ 4.5V

Max.

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

8.7

7.0

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.02

± 12

5.0

V_GS

Gate-to-Source Voltage

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

V/ns

°C

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

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November 18, 2013

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