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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 7.45 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 271041 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-220AB_3 |
| Samacsys Released Date： | 2016-02-09 13:20:59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 120 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 196 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 79 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP11NB40 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
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| IRF740PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| IRF740APBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7401 | ADI |
获取价格 |
Thermoelectric Cooler Controller |
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| IRF7401 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm) |
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| IRF74016 | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF7401PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7401PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7401TR | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IRF7401TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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| IRF7402 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7402PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7402TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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