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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 82 mJ |
| 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7389TR | INFINEON |
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Generation v technology |
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| IRF7389TR | UMW |
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种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电 |
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| IRF7389TRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology |
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| IRF740 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF740 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRF740 | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| IRF740 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
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| IRF740 | INTERSIL |
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10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF740 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
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| IRF740 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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