5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF7322D1PBFTR
IRF7322D1PBFTR PDF预览

IRF7322D1PBFTR

更新时间： 2024-09-30 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 188K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7322D1PBFTR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

IRF7322D1PBFTR 数据手册

 浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7322D1PBFTR的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95298  
IRF7322D1PbF  
FETKYäMOSFET / Schottky Diode  
l Co-packaged HEXFET® Power MOSFET  
and Schottky Diode  
l Ideal For Buck Regulator Applications  
l P-Channel HEXFET  
l Low VF Schottky Rectifier  
l Generation 5 Technology  
l SO-8 Footprint  
1
2
3
4
8
7
K
K
A
A
VDSS = -20V  
RDS(on) = 0.058Ω  
Schottky Vf = 0.39V  
6
5
S
D
D
G
Top View  
l Lead-Free  
Description  
The FETKY family of co-packaged MOSFETs and Schottky diodes offers the  
designer an innovative, board space saving solution for switching regulator  
and power management applications. Generation 5 HEXFET Power  
MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Combinining this technology with  
International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an  
extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable  
electronics applications.  
SO-8  
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for  
enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor  
phase, infrared or wave soldering techniques.  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Maximum  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
-5.3  
A
-4.3  
Pulsed Drain Current À  
-43  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
1.3  
Linear Derating Factor  
16  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt Á  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient à  
62.5  
°C/W  
Notes:  
À Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 9)  
Á ISD ≤ -2.9A, di/dt ≤ -77A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 150°C  
 Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%  
à Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.  
www.irf.com  
1
10/12/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRF7322D1PBFTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7322D1TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.062ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7322D1TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.062ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7324 INFINEON

获取价格

 		HEXFET? Power MOSFET
IRF7324D1 INFINEON

获取价格

 		FETKY MOSFET / Schottky Diode
IRF7324D1PBF INFINEON

获取价格

 		FETKY⑩MOSFET / Schottky Diode
IRF7324D1TR INFINEON

获取价格

 		FETKY MOSFET / Schottky Diode
IRF7324PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm)
IRF7324PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRF7324TR UMW

获取价格

 		种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25
IRF7324TRPBF INFINEON

获取价格

 		Trench Technology

与IRF7322D1PBFTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证