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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7316TRPBF
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IRF7316TRPBF

更新时间： 2024-09-28 12:04:27
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 209K
描述
Generation V Technology

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IRF7316TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.69Samacsys Description：International Rectifier IRF7316TRPBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.9 A, -30 V, 8-Pin SOIC
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：4.9 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF7316TRPBF 数据手册

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PD - 95182  
IRF7316PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
1
2
3
4
8
S1  
G1  
D1  
VDSS = -30V  
7
D1  
6
S2  
D2  
5
G2  
D2  
RDS(on) = 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
VDS  
Maximum  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
± 20  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
-4.9  
-3.9  
-30  
-2.5  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
140  
mJ  
A
-2.8  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
V/ ns  
°C  
dv/dt  
TJ,TSTG  
-5.0  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
10/7/04  
1234567

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IRF7316TRPBF 替代型号

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