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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7313QPBF
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IRF7313QPBF

更新时间： 2024-11-16 02:59:59
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET Power MOSFET

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PD - 96125  
IRF7313QPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
DualN-ChannelMOSFET  
SurfaceMount  
Available in Tape & Reel  
150°COperatingTemperature  
Automotive [Q101] Qualified  
Lead-Free  
1
2
8
S1  
G1  
D1  
VDSS = 30V  
7
D1  
3
4
6
S2  
D2  
5
G2  
D2  
RDS(on) = 0.029Ω  
Top View  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, these  
HEXFET® Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize  
the lastest processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features of these  
Automotive qualified HEXFET Power MOSFET's are a  
150°C junction operating temperature, fast switching  
speed and improved repetitive avalanche rating. These  
benefits combine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applications and  
a wide variety of other applications.  
The efficient SO-8 package provides enhanced thermal  
characteristics and dual MOSFET die capability making it  
ideal in a variety of power applications. This dual, surface  
mount SO-8 can dramatically reduce board space and is  
also available in Tape & Reel.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
VDS  
VGS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
± 20  
6.5  
V
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
5.2  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
IDM  
IS  
30  
2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
PD  
W
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
82  
mJ  
A
4.0  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
5.8  
mJ  
V/ ns  
°C  
dv/dt  
TJ,TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
www.irf.com  
1
09/04/07  
1234567

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IRF7313QPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF7313QTR INFINEON

类似代替

 Advanced Planar Technology Dual N Channel MOSFET

与IRF7313QPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7313TR UMW

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 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7313TRPBF INFINEON

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 		Generation V Technology
IRF7313TRPBF-1 INFINEON

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IRF7313UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7313UTRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7314 INFINEON

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IRF7314PBF INFINEON

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IRF7314Q INFINEON

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IRF7314QPBF INFINEON

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