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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN AND LEAD FREE, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.058 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7316PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7316PBF-1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF7316QPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7316QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| IRF7316S | ETC |
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| IRF7316TR | UMW |
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种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25 |
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| IRF7316TRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology |
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| IRF7316TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7317 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7317HR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe |
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