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IRF7314

更新时间： 2024-01-23 04:20:18
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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7页 149K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7314 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7314 数据手册

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PD - 9.1436B  
IRF7314  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
1
8
S1  
D1  
VDSS = -20V  
2
7
G1  
D1  
3
6
S2  
D2  
l Fully Avalanche Rated  
4
5
G2  
D2  
RDS(on) = 0.058Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
SO -8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
-20  
V
VGS  
± 12  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
-5.3  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
-4.3  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
-21  
-2.5  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
PD  
W
1.3  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
150  
mJ  
A
-2.9  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dtƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
-5.0  
V/ ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
11/18/97  
1234567

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IRF7314 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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