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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 0.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7311TR | INFINEON |
完全替代  |
Generation V Technology |
|
| IRF7301TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7301PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7313 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRF7313PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7313PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF7313QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7313TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25° |
|
| IRF7313TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7313TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7313UPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7313UTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7314 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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