5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF7311
IRF7311 PDF预览

IRF7311

更新时间： 2024-10-01 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 210K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7311 数据手册

 浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7311的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91435C  
IRF7311  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
1
2
8
D1  
S1  
G 1  
VDSS = 20V  
7
D 1  
3
4
6
S2  
D2  
l Fully Avalanche Rated  
5
G 2  
D 2  
RDS(on) = 0.029Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devices can be used in an application with dramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
S O -8  
Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted)  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
20  
± 12  
6.6  
V
VGS  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Continuous Drain Currentꢀ  
ID  
5.3  
26  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
2.5  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
Maximum Power Dissipation ꢀ  
P
D
W
1.3  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current  
EAS  
IAR  
100  
mJ  
A
4.1  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
EAR  
0.20  
5.0  
mJ  
V/ ns  
°C  
dv/dt  
TJ,TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Units  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
RθJA  
62.5  
°C/W  
5/29/01  
1234567

中文翻译

下载PDF

IRF7311 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7301TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7311TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7301PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IRF7311相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7311PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7311TR INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology
IRF7311TR UMW

获取价格

 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7311TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7313 INFINEON

获取价格

 		HEXFET POWER MOSFET
IRF7313PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7313PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF7313QPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7313TR UMW

获取价格

 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRF7313TRPBF INFINEON

获取价格

 		Generation V Technology

与IRF7311相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证