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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF731-006 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-010PBF | INFINEON |
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5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF731-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-013PBF | INFINEON |
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5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF7311 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7311PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET |
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