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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF731-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-013PBF | INFINEON |
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5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF7311 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7311PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7311TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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| IRF7311TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7311TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7313 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRF7313PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7313PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
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