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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF731-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF731-013PBF | INFINEON |
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5.5A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF7311 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7311PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7311TR | INFINEON |
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Generation V Technology |
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| IRF7311TR | UMW |
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种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7311TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7313 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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