是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.02 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 74 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF730ASTRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF730ASTRR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB | |
IRF730ASTRRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRF730B | KERSEMI |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRF730B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
IRF730B | VISHAY |
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D Series Power MOSFET | |
IRF730C | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRF730CF | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R | |
IRF730CHIP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP | |
IRF730D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |