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IRF7307

更新时间： 2024-09-29 22:31:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 196K
描述
Power MOSFET

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IRF7307 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：4.3 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7307 数据手册

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PD - 9.1242B  
IRF7307  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
N -C HAN NEL M O SF ET  
1
2
3
8
D 1  
D 1  
S 1  
N-Ch  
P-Ch  
7
G 1  
6
5
S 2  
D 2  
D 2  
VDSS  
20V  
-20V  
4
G 2  
P-CH ANNE L M OS FE T  
RDS(on) 0.050Ω 0.090Ω  
Top View  
Description  
Fifth GenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulse Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.7  
5.2  
4.1  
21  
-4.7  
-4.3  
-3.4  
-17  
A
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.016  
± 12  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
62.5  
°C/W  
8/25/97  
1234567...10

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IRF7307 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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类似代替

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功能相似

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
IRF7307TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
IRF7307TR UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V，P：-20V;持续漏极电
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