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IRF7307QTRPBF PDF预览

IRF7307QTRPBF

更新时间： 2024-09-30 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 299K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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IRF7307QTRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.2 A
最大漏极电流 (ID)：5.2 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7307QTRPBF 数据手册

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IRF7307QPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
Dual N and P Channel MOSFET  
Surface Mount  
Available in Tape & Reel  
150°COperatingTemperature  
Lead-Free  
N-CHANNEL MOSFET  
1
2
3
4
8
D1  
D1  
S1  
G1  
N-Ch P-Ch  
7
6
5
S2  
D2  
D2  
VDSS  
20V  
-20V  
G2  
P-CHANNEL MOSFET  
Description  
Top View  
RDS(on) 0.050Ω 0.090Ω  
These HEXFET® Power MOSFET's in a Dual SO-8  
package utilize the lastest processing techniques to  
achieveextremelylow on-resistanceper silicon area.  
Additional features of these HEXFET Power  
MOSFET's are a 150°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating.Thesebenefitscombineto  
make this design an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
The efficientSO-8packageprovidesenhancedthermal  
characteristics and dual MOSFET die capability  
making it ideal in a variety of power applications. This  
dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce  
board space and is also available in Tape & Reel.  
SO-8  
Standard Pack  
Base Part Number Package Type  
Orderable Part Number  
EOL Notice  
Form  
Quantity  
IRF7307QPbF  
IRF7307QPbF  
SO-8  
SO-8  
Tube/Bulk  
Tape and Reel  
95  
4000  
IRF7307QPbF  
IRF7307QTRPbF  
EOL 529  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulse Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.7  
5.2  
4.1  
21  
-4.7  
-4.3  
-3.4  
-17  
A
PD@TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
0.016  
± 12  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
-5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
62.5  
°C/W  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
September 3, 2014  
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IRF7307QTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7307TRPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET® Power MOSFET
IRF7307PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET POWER MOSFET
FDS9934C FAIRCHILD

功能相似

 Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors

与IRF7307QTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7307TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
IRF7307TR UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N: 20V，P：-20V;持续漏极电
IRF7307TRPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
IRF7309 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7309IPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7309PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7309PBF-1 INFINEON

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 		暂无描述
IRF7309QPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
IRF7309TR UMW

获取价格

 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V ;P：-30V;持续漏极电

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