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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7307TRPBF
IRF7307TRPBF PDF预览

IRF7307TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:28:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 287K
描述
HEXFET® Power MOSFET

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IRF7307TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.78Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.2 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7307TRPBF 数据手册

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PD - 95179  
IRF7307PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N and P Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
N-CHANNEL MOSFET  
1
2
3
4
8
D1  
D1  
S1  
G1  
N-Ch P-Ch  
7
6
5
S2  
D2  
D2  
VDSS  
20V  
-20V  
G2  
P-CHANNEL MOSFET  
l Lead-Free  
Top View  
RDS(on) 0.050Ω 0.090Ω  
Description  
Fifth GenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
N-Channel  
P-Channel  
4.5V  
I
D @ TA = 25°C  
10 Sec. Pulse Drain Current, VGS  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
@
5.7-4.7  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
5.2  
4.1  
21  
-4.3  
A
-3.4  
-17  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
0.016  
± 12  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
dv/dt  
TJ, TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
-5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
62.5  
°C/W  
10/7/04  
1234567...10

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IRF7307TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7307PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET POWER MOSFET
IRF7307 INFINEON

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功能相似

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