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FDS9934C

更新时间： 2024-02-12 12:56:32
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 159K
描述
Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors

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FDS9934C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS9934C 数据手册

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February 2004  
FDS9934C  
Complementary  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state ressitance and yet maintain superior switching  
performance.  
·
Q1: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 30 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 43 mW @ VGS = 2.5 V.  
·
Q2: –5 A, –20 V,RDS(ON) = 55 mW @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 90 mW @ VGS = –2.5 V  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
Q1  
20  
Q2  
–20  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
±12  
–5  
±10  
6.5  
20  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–30  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS9934C  
FDS9934C  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS9934C Rev C(W)  
Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS9934C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS9934C ONSEMI

类似代替

 互补，PowerTrench® MOSFET，20V
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类似代替

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IRF7307PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET POWER MOSFET

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