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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS9945 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS9945 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，3.5A，100mΩ |
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| FDS9945_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS9945F011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS9945L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS9953A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS9953A | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，-2.9A，130mΩ |
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| FDS9953AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS9953AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS9958 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
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